Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 1.9 A 42 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
222-4674
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R2K8CEATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

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