Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 144 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
222-4678
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N08S405ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Maximale Verlustleistung Pd

144W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Green Product (RoHS-konform)

MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert

OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

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