Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 150 V / 24 A 140 W, 3-Pin TO-252

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220-7492
Herst. Teile-Nr.:
IRFR24N15DTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Breite

2.39mm

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.

Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung

Schaltverluste

Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich

Effektiver COSS zur Vereinfachung des Designs (siehe

Ca. Hinweis AN1001)

Vollständig charakterisierte Lawinenspannung

Und Strom

Bleifrei

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