Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 168-6002
Herst. Teile-Nr.:: IRFR7440TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Price Stück (Auf einer Rolle von 2000)**

CHF.0.578

5485 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle**
2000 +	CHF.0.578	CHF.1'159.20

**Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-6002
Herst. Teile-Nr.:: IRFR7440TRPBF
Marke:: Infineon

IRFR7440PbF, IRFU7440PbF, HEXFET Power MOSFET 40V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.9V
Gate-Schwellenspannung min.	2.2V
Verlustleistung max.	140 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	2.39mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	89 nC @ 20 V
Länge	6.73mm
Höhe	6.22mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon