Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 42 A 140 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9128
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4104TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- 214-9128
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4104TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Breite | 2.39 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.22mm | ||
Breite 2.39 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Er wird mit Advanced Process Technology geliefert
Der MOSFET ist bleifrei
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