Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 165-5923
Herst. Teile-Nr.:: IRLR7843TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 165-5923
Herst. Teile-Nr.:: IRLR7843TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	161A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	34nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Verlustleistung Pd	140W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22mm
	Höhe	2.39mm
	Länge	6.73mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 161A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Verlustleistung Pd 140W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22mm
	Höhe 2.39mm
	Länge 6.73mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 161A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRLR7843TRPBF

Dieser MOSFET ist auf Hochleistungsanwendungen im Elektro- und Elektronikbereich zugeschnitten und eignet sich besonders für den Automobil- und Industriebedarf. Seine HEXFET-Technologie sorgt für einen beeindruckenden Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit, wodurch er sich ideal für synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler und isolierte DC/DC-Wandler eignet. Das Gerät steuert effektiv die Verlustleistung und steigert so die Leistung elektronischer Systeme.

Eigenschaften und Vorteile

• Extrem niedriger RDS(on) optimiert Verlustleistung und Effizienz

• Hohe Dauerstrombelastbarkeit unterstützt intensive Anwendungen

• Konzipiert für hohe Betriebstemperaturen zur Gewährleistung der Leistung

• Bleifreie Konstruktion erfüllt umweltbewusste Designstandards

• Niedrige Gate-Ladung verbessert Schaltverhalten in Schaltungen

Anwendungsbereich

• Einsatz in synchronen Hochfrequenz-Abwärtswandlern

• Eingesetzt in isolierten DC-DC-Wandlern für Telekommunikationssysteme

• Dient der Energieverwaltung in Kraftfahrzeugen

• Geeignet für industrielle Stromversorgungen, die einen höheren Wirkungsgrad erfordern

• Ideal für die Leistungsregelung in Computerprozessoren

Was sind die typischen thermischen Leistungsmerkmale?

Die maximale Betriebstemperatur beträgt +175°C mit einem Wärmewiderstand von 50°C/W von der Sperrschicht bis zur Umgebung, was eine effektive Leistung in thermischen Umgebungen gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige RDS(on) auf das Gesamtdesign der Schaltung aus?

Ein niedriger RDS(on) reduziert die Leitungsverluste, was zu einem verbesserten Wirkungsgrad unter unterschiedlichen Lastbedingungen führt, was für Hochleistungsdesigns entscheidend ist.

Kann es Impulsströme effektiv verarbeiten?

Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 620 A aufnehmen, was die Betriebssicherheit bei dynamischen Lasten gewährleistet.

Welche Befestigungsmethoden sind mit dieser Komponente kompatibel?

Als oberflächenmontiertes Bauteil im DPAK-Gehäuse ist es für automatisierte Montageprozesse geeignet.

Ist es für den Einsatz im Automobilbereich geeignet?

Ja, seine Spezifikationen, einschließlich einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V, eignen sich für Kfz-Stromversorgungssysteme.