Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
165-5923
Herst. Teile-Nr.:
IRLR7843TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

161A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 161A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRLR7843TRPBF


Dieser MOSFET ist auf Hochleistungsanwendungen im Elektro- und Elektronikbereich zugeschnitten und eignet sich besonders für den Automobil- und Industriebedarf. Seine HEXFET-Technologie sorgt für einen beeindruckenden Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit, wodurch er sich ideal für synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler und isolierte DC/DC-Wandler eignet. Das Gerät steuert effektiv die Verlustleistung und steigert so die Leistung elektronischer Systeme.

Eigenschaften und Vorteile


• Extrem niedriger RDS(on) optimiert Verlustleistung und Effizienz

• Hohe Dauerstrombelastbarkeit unterstützt intensive Anwendungen

• Konzipiert für hohe Betriebstemperaturen zur Gewährleistung der Leistung

• Bleifreie Konstruktion erfüllt umweltbewusste Designstandards

• Niedrige Gate-Ladung verbessert Schaltverhalten in Schaltungen

Anwendungsbereich


• Einsatz in synchronen Hochfrequenz-Abwärtswandlern

• Eingesetzt in isolierten DC-DC-Wandlern für Telekommunikationssysteme

• Dient der Energieverwaltung in Kraftfahrzeugen

• Geeignet für industrielle Stromversorgungen, die einen höheren Wirkungsgrad erfordern

• Ideal für die Leistungsregelung in Computerprozessoren

Was sind die typischen thermischen Leistungsmerkmale?


Die maximale Betriebstemperatur beträgt +175°C mit einem Wärmewiderstand von 50°C/W von der Sperrschicht bis zur Umgebung, was eine effektive Leistung in thermischen Umgebungen gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige RDS(on) auf das Gesamtdesign der Schaltung aus?


Ein niedriger RDS(on) reduziert die Leitungsverluste, was zu einem verbesserten Wirkungsgrad unter unterschiedlichen Lastbedingungen führt, was für Hochleistungsdesigns entscheidend ist.

Kann es Impulsströme effektiv verarbeiten?


Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 620 A aufnehmen, was die Betriebssicherheit bei dynamischen Lasten gewährleistet.

Welche Befestigungsmethoden sind mit dieser Komponente kompatibel?


Als oberflächenmontiertes Bauteil im DPAK-Gehäuse ist es für automatisierte Montageprozesse geeignet.

Ist es für den Einsatz im Automobilbereich geeignet?


Ja, seine Spezifikationen, einschließlich einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V, eignen sich für Kfz-Stromversorgungssysteme.

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