Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 42 A 140 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9129
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4104TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.14.75
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.475 | CHF.14.79 |
| 50 - 90 | CHF.1.404 | CHF.14.05 |
| 100 - 240 | CHF.1.343 | CHF.13.45 |
| 250 - 490 | CHF.1.283 | CHF.12.86 |
| 500 + | CHF.1.202 | CHF.11.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9129
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4104TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.39 mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.39 mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Er wird mit Advanced Process Technology geliefert
Der MOSFET ist bleifrei
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