Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 86 A 79 W, 3-Pin IRFR3709ZTRLPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

CHF.16.38

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1’160 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80CHF.0.819CHF.16.40
100 - 180CHF.0.777CHF.15.58
200 - 480CHF.0.746CHF.14.93
500 - 980CHF.0.714CHF.14.26
1000 +CHF.0.662CHF.13.29

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7496
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3709ZTRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Breite

2.39 mm

Höhe

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.

Branchenführende Qualität

Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS

Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben

Besonders niedrige Gate-Impedanz

Verwandte Links