Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 86 A 79 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2621
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3709ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Länge

6.37mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse.

Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5 V VGS

Besonders niedrige Gate-Impedanz

Vollständig charakterisierte Lawinenspannung

Und Strom

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