Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 86 A 79 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2622
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3709ZTRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2622
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3709ZTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.37mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.37mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse.
Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5 V VGS
Besonders niedrige Gate-Impedanz
Vollständig charakterisierte Lawinenspannung
Und Strom
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