Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 77 A 90 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 220-7493
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3504ZTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 77 A 90 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7493
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3504ZTRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	77A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	90W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	45nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	6.22mm
	Länge	6.73mm
	Breite	2.39 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 90W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 6.22mm
	Länge 6.73mm
	Breite 2.39 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFR3504ZTRPBF

Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Industriestandard-Qualifikationsebene

Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch

Hohe Leistung in Anwendungen mit niedriger Frequenz

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 77 A 90 W, 3-Pin TO-252

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