Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 32 A 130 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 915-5014
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3411TRPBF
- Marke:
- Infineon
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| 100 - 180 | CHF 1.111 | CHF 22.28 |
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- RS Best.-Nr.:
- 915-5014
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3411TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 32A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7.49mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7.49mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 32A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 130W maximale Verlustleistung - IRFR3411TRPBF
Dieser MOSFET ist für elektronische Hochleistungsanwendungen von entscheidender Bedeutung, da er eine robuste Leistung mit niedrigem On-Widerstand und einem breiten Betriebstemperaturbereich bietet. Durch den Einsatz der HEXFET-Technologie wird ein effizienter Betrieb gewährleistet, so dass er sich für verschiedene Industrie- und Automatisierungsaufgaben eignet. Sein oberflächenmontiertes DPAK-Gehäuse (TO-252) erleichtert die Integration in elektronische Schaltungen, während das Enhancement-Mode-Design die Schalteffizienz optimiert.
Eigenschaften und Vorteile
• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von 32A für vielseitige Anwendungen
• Maximale Nennspannung von 100 V für flexiblen Einsatz
• Niedriger RDS(on) von 44mΩ reduziert Leistungsverlust und Wärmeentwicklung
• Maximale Verlustleistung von 130 W für verbesserte Haltbarkeit
• Unterstützt Hochgeschwindigkeitsschaltungen für verbesserte Schaltkreisleistung
• Oberflächenmontage vereinfacht die PCB-Integration
Anwendungsbereich
• Einsatz in DC-DC-Wandlern in industriellen Stromversorgungssystemen
• Effektiv für Motorsteuerungsschaltungen in der Robotik und Automation
• Geeignet für das Energiemanagement in Telekommunikationsgeräten
• Einsatz in elektronischen Beleuchtungssystemen zur Steigerung der Energieeffizienz
Welche Arten der Leiterplattenmontage sind mit diesem Gerät kompatibel?
Es ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt, was die Vielseitigkeit der Montagemethoden gewährleistet.
Kann dieses Gerät gepulste Ableitströme verarbeiten?
Ja, er ist für gepulste Ableitströme von bis zu 110 A ausgelegt, was Flexibilität bei transienten Lastzuständen ohne Schäden ermöglicht.
Wie hoch ist der Wärmewiderstand dieses Bauteils?
Der Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse beträgt 1,2°C/W, was ein effektives Wärmemanagement während des Betriebs ermöglicht.
In welchem Temperaturbereich kann es betrieben werden?
Dieser MOSFET arbeitet effektiv zwischen -55°C und +175°C und ist für extreme Umgebungsbedingungen geeignet.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Leistung aus?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 48nC bei 10 V sorgt er für schnellere Schaltzeiten, wodurch Verluste reduziert und die Effizienz von Schaltungen verbessert werden.
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