Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 2.2 V / 90 A IRF40R207 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IRF40R207
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

2.2V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem DPAK-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

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