Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 165-5658
Herst. Teile-Nr.:: IRF640NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 165-5658
Herst. Teile-Nr.:: IRF640NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	18A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	150mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	67nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	150W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.67mm
	Breite	9.65 mm
	Höhe	4.83mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 150W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.67mm
	Breite 9.65 mm
	Höhe 4.83mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 150W maximale Verlustleistung - IRF640NSTRLPBF

Dieser MOSFET ist für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen unerlässlich und steuert den Stromfluss in Schaltkreisen, um Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Durch seine robusten Spezifikationen eignet er sich besonders für Automatisierungs- und Elektroniksysteme in der modernen Elektronik.

Eigenschaften und Vorteile

• N-Kanal-Konfiguration unterstützt Anreicherungsmodusbetrieb

• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 18 A

• Drain-Source-Spitzenspannung von 200 V für vielfältige Anwendungen

• D2PAK-Gehäuse für einfache Oberflächenmontage

• Niedriger Rds(on) von 150mΩ reduziert den Energieverlust während des Betriebs

• Hohe maximale Betriebstemperatur von +175°C für verschiedene Umgebungen

Anwendungsbereich

• Leistungsmanagement in der Automobilelektronik

• Industrielle Stromversorgungen für Automatisierungssysteme

• Motorsteuerung über verschiedene Sektoren hinweg

• Erneuerbare Energiesysteme für die Energieumwandlung

• Entwürfe für Hochfrequenz-Wechselrichter

Was ist die maximale Drain-Source-Spannung?

Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 200 V und bietet somit Flexibilität für Hochspannungsanwendungen.

Wie wird die Wärmeabfuhr während des Betriebs geregelt?

Dieser MOSFET bietet eine Verlustleistung von 150 W, und sein Gehäusedesign fördert ein effektives Wärmemanagement bei hohen Lasten.

Welche Auswirkungen hat der Bereich der Gate-Schwellenspannung?

Mit einer maximalen Gate-Schwellenspannung von 4 V und einer minimalen Spannung von 2 V bietet er Ingenieuren einen vielseitigen Bereich für Schaltanwendungen.

Kann diese Komponente in parallelen Konfigurationen verwendet werden?

Ja, er kann aufgrund seines geringen On-Widerstands problemlos parallel geschaltet werden und eignet sich daher für Hochstromanwendungen.

Wie sollte es für eine optimale Leistung gelötet werden?

Die Löttemperatur sollte 300°C für 10 Sekunden nicht überschreiten, um eine ordnungsgemäße Installation zu gewährleisten, ohne den MOSFET zu beschädigen.