Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-9433
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4321TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.6.888
Begrenzter Lagerbestand
- 716 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.444 | CHF.6.89 |
| 20 - 48 | CHF.3.091 | CHF.6.18 |
| 50 - 98 | CHF.2.899 | CHF.5.80 |
| 100 - 198 | CHF.2.687 | CHF.5.37 |
| 200 + | CHF.2.505 | CHF.5.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9433
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4321TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 85A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFS-Serie von Infineon ist das 150-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Optimiert für 10-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Normalpegel)
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)
Kann wellenförmig gelötet werden
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 62 A 330 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 320 A 330 W, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 105 A, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 51 A 230 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 43 A 200 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263