Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W IRFS4229TRLPBF TO-263

RS Best.-Nr.:: 217-2634
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4229TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W IRFS4229TRLPBF TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.16.33

Auf Lager

2’610 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	CHF.3.266	CHF.16.31
25 - 45	CHF.2.867	CHF.14.35
50 - 120	CHF.2.709	CHF.13.54
125 - 245	CHF.2.51	CHF.12.56
250 +	CHF.2.321	CHF.11.58

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 217-2634
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4229TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	45A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	48mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	110nC
	Maximale Verlustleistung Pd	330W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	9.65mm
	Länge	10.67mm
	Normen/Zulassungen	EIA 418
	Breite	4.83 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC
	Maximale Verlustleistung Pd 330W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 9.65mm
	Länge 10.67mm
	Normen/Zulassungen EIA 418
	Breite 4.83 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFS4229TRLPBF

Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET wurde speziell für die Haltespannung entwickelt ; Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen in Plasma-Display-Panels. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche und eine niedrige E-Impulsbelastbarkeit zu erreichen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Wichtige Parameter optimiert für PDP-Haltezeit-, Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen

Niedrige EPULSE-Nennleistung zur Reduzierung der Verlustleistung in PDP-Anwendungen für Haltespannung, Energierückgewinnung und Durchpassschalter

Niedrige QG für schnelles Ansprechen

Hohe Repetitive Peak Current Capability für zuverlässigen Betrieb

Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten

175 °C Betriebsanschlusstemperatur für verbesserte Robustheit

Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W IRFS4229TRLPBF TO-263

Verwandte Links