Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W TO-263

RS Best.-Nr.:: 217-2633
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4229TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 217-2633
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4229TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	45A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	48mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	110nC
	Maximale Verlustleistung Pd	330W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.83 mm
	Länge	10.67mm
	Höhe	9.65mm
	Normen/Zulassungen	EIA 418
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC
	Maximale Verlustleistung Pd 330W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.83 mm
	Länge 10.67mm
	Höhe 9.65mm
	Normen/Zulassungen EIA 418
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFS4229TRLPBF

Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET wurde speziell für die Haltespannung entwickelt ; Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen in Plasma-Display-Panels. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche und eine niedrige E-Impulsbelastbarkeit zu erreichen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Wichtige Parameter optimiert für PDP-Haltezeit-, Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen

Niedrige EPULSE-Nennleistung zur Reduzierung der Verlustleistung in PDP-Anwendungen für Haltespannung, Energierückgewinnung und Durchpassschalter

Niedrige QG für schnelles Ansprechen

Hohe Repetitive Peak Current Capability für zuverlässigen Betrieb

Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten

175 °C Betriebsanschlusstemperatur für verbesserte Robustheit

Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W TO-263

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