Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 62 A 330 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-9431
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4227TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.5.376
Begrenzter Lagerbestand
- 786 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.688 | CHF.5.37 |
| 20 - 48 | CHF.2.394 | CHF.4.79 |
| 50 - 98 | CHF.2.226 | CHF.4.45 |
| 100 - 198 | CHF.2.069 | CHF.4.14 |
| 200 + | CHF.1.932 | CHF.3.86 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9431
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4227TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 62A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFS-Serie von Infineon ist ein 200-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Power-Mosfet-PDP-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse.
Erweiterte Prozesstechnologie
Wichtige Parameter optimiert für PDP-Unterhaltung, Energierückgewinnung und Pass-Schalter-Anwendungen
Niedrige E-Impulsbelastbarkeit zur Verringerung der Leistung
Verlust in PDP-Unterstützung, Energierückgewinnung und Pass-Schalter-Anwendungen
Niedrige QG für schnelles Ansprechen
Hohe sich wiederholende Spitzenstromfähigkeit für
Zuverlässiger Betrieb
Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten
175 °C Betriebsverbindungstemperatur für verbesserte Robustheit
Wiederholbare Lawinen-Fähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 62 A 330 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 320 A 330 W, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 75 V / 62 A 120 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 62 A TO-220