Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 62 A 330 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
257-9430
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4227TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist ein 200-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Power-Mosfet-PDP-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse.

Erweiterte Prozesstechnologie

Wichtige Parameter optimiert für PDP-Unterhaltung, Energierückgewinnung und Pass-Schalter-Anwendungen

Niedrige E-Impulsbelastbarkeit zur Verringerung der Leistung

Verlust in PDP-Unterstützung, Energierückgewinnung und Pass-Schalter-Anwendungen

Niedrige QG für schnelles Ansprechen

Hohe sich wiederholende Spitzenstromfähigkeit für

Zuverlässiger Betrieb

Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten

175 °C Betriebsverbindungstemperatur für verbesserte Robustheit

Wiederholbare Lawinen-Fähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

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