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    Infineon HEXFET IRFS4310ZTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    RS Best.-Nr.:
    165-8292
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFS4310ZTRLPBF
    Marke:
    Infineon
    Infineon

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    165-8292
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFS4310ZTRLPBF
    Marke:
    Infineon
    Ursprungsland:
    CN

    Rechtliche Anforderungen

    Ursprungsland:
    CN

    Produktdetails

    N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


    Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.127 A
    Drain-Source-Spannung max.100 V
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.6 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.250 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Länge10.67mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Breite11.3mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs120 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe4.83mm
    Diodendurchschlagsspannung1.3V
    SerieHEXFET
    Betriebstemperatur min.–55 °C
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