Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 250 A 230 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

CHF.638.40

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 - 800CHF.0.798CHF.636.72
1600 +CHF.0.756CHF.604.80

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-5484
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7437TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 250A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 230W maximale Verlustleistung - IRFS7437TRLPBF


Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen gedacht, die ein effizientes Leistungsmanagement erfordern. Es wird in verschiedenen Sektoren eingesetzt und bietet robuste Eigenschaften, die für anspruchsvolle Umgebungen geeignet sind. Durch seine Fähigkeit, hohe Ströme und Spannungen zu bewältigen, eignet er sich gut für Anwendungen der Spitzentechnologie.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 250 A für Hochleistungsanwendungen

• Bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V und gewährleistet damit Zuverlässigkeit in verschiedenen Konfigurationen

• Weist einen niedrigen Rds(on) von 1,4mΩ auf, was zu geringeren Leistungsverlusten beiträgt

• Für die Aufputzmontage konzipiert, was die Installation vereinfacht

• Fähigkeit, schnelle Schaltanwendungen zu verarbeiten, was die Effizienz steigert

Anwendungsbereich


• Geeignet für Bürstenmotorantrieb

• Ideal für batteriebetriebene Schaltungen, die eine effiziente Stromnutzung ermöglichen

• Einsatz in Halbbrücken- und Vollbrückentopologien für präzise Steuerung

• Verwendet im Synchrongleichrichter die Energieeinsparungen zu verbessern

• Anwendbar in Stromversorgungen mit Resonanzbetrieb für stabile Leistung

Wie wird die Verlustleistung während des Betriebs gesteuert?


Die Verlustleistung wird durch eine maximale Leistung von 230 W gesteuert, wodurch die thermische Stabilität unter hohen Lastbedingungen gewährleistet wird.

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert?


Der niedrige Rds(on)-Wert minimiert den Energieverlust während des Betriebs und verbessert die Effizienz bei Hochstromanwendungen.

Kann dies in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?


Mit einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet er sich für verschiedene Anwendungen, einschließlich Hochtemperaturumgebungen.

Was sollte ich bei der Installation beachten?


Sorgen Sie für ein angemessenes Wärmemanagement gemäß den Spezifikationen, um die Betriebseffizienz und -zuverlässigkeit bei intensiven Anwendungen aufrechtzuerhalten.

Ist es mit verschiedenen Stromversorgungskonzepten kompatibel?


Ja, der MOSFET ist vielseitig und kann in zahlreiche Stromversorgungsdesigns integriert werden, so dass er sich an verschiedene Projekte anpassen lässt.

Verwandte Links