Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 250 A 230 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 165-5484
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7437TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 250 A 230 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 165-5484
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7437TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	250A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	230W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	4.83mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	9.65 mm
	Länge	10.67mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 230W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 4.83mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 9.65 mm
	Länge 10.67mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 250A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 230W maximale Verlustleistung - IRFS7437TRLPBF

Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen gedacht, die ein effizientes Leistungsmanagement erfordern. Es wird in verschiedenen Sektoren eingesetzt und bietet robuste Eigenschaften, die für anspruchsvolle Umgebungen geeignet sind. Durch seine Fähigkeit, hohe Ströme und Spannungen zu bewältigen, eignet er sich gut für Anwendungen der Spitzentechnologie.

Eigenschaften und Vorteile

• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 250 A für Hochleistungsanwendungen

• Bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V und gewährleistet damit Zuverlässigkeit in verschiedenen Konfigurationen

• Weist einen niedrigen Rds(on) von 1,4mΩ auf, was zu geringeren Leistungsverlusten beiträgt

• Für die Aufputzmontage konzipiert, was die Installation vereinfacht

• Fähigkeit, schnelle Schaltanwendungen zu verarbeiten, was die Effizienz steigert

Anwendungsbereich

• Geeignet für Bürstenmotorantrieb

• Ideal für batteriebetriebene Schaltungen, die eine effiziente Stromnutzung ermöglichen

• Einsatz in Halbbrücken- und Vollbrückentopologien für präzise Steuerung

• Verwendet im Synchrongleichrichter die Energieeinsparungen zu verbessern

• Anwendbar in Stromversorgungen mit Resonanzbetrieb für stabile Leistung

Wie wird die Verlustleistung während des Betriebs gesteuert?

Die Verlustleistung wird durch eine maximale Leistung von 230 W gesteuert, wodurch die thermische Stabilität unter hohen Lastbedingungen gewährleistet wird.

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert?

Der niedrige Rds(on)-Wert minimiert den Energieverlust während des Betriebs und verbessert die Effizienz bei Hochstromanwendungen.

Kann dies in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?

Mit einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet er sich für verschiedene Anwendungen, einschließlich Hochtemperaturumgebungen.

Was sollte ich bei der Installation beachten?

Sorgen Sie für ein angemessenes Wärmemanagement gemäß den Spezifikationen, um die Betriebseffizienz und -zuverlässigkeit bei intensiven Anwendungen aufrechtzuerhalten.

Ist es mit verschiedenen Stromversorgungskonzepten kompatibel?

Ja, der MOSFET ist vielseitig und kann in zahlreiche Stromversorgungsdesigns integriert werden, so dass er sich an verschiedene Projekte anpassen lässt.