Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A 230 W, 3-Pin IRFS4410ZTRLPBF TO-263

RS Best.-Nr.:: 915-5058
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4410ZTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A 230 W, 3-Pin IRFS4410ZTRLPBF TO-263

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RS Best.-Nr.:: 915-5058
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4410ZTRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	97A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	83nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	230W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.67mm
	Breite	11.3 mm
	Höhe	4.83mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 230W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.67mm
	Breite 11.3 mm
	Höhe 4.83mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

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