Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 33 A 144 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 145-8839
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4615TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 33 A 144 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IRFS4615TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	33A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	42mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	144W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	26nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	4.83mm
	Breite	9.65mm
	Länge	10.67mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 144W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 4.83mm
	Breite 9.65mm
	Länge 10.67mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 33 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFS4615TRLPBF

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen, während er eine kontrollierte, gate-gesteuerte Schaltung für Anwendungen mit mittlerem bis hohem Strom bietet.

Merkmale und Vorteile:

• Die Drain-Source-Festigkeit von 150 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 33 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• RDS(on) von 42 mΩ minimiert Leitungsverluste bei hoher Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 26 nC ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• 144 W maximale Verlustleistung für erhöhte Leistungspegel
• 20 V Gate-Source-Grenzwert schützt vor übermäßiger Gate-Spannung

Anwendungsbereiche

• Geeignet für DC/DC-Wandler in industriellen Netzteilen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Wird mit Batteriemanagementsystemen verwendet, die eine Hochspannungsschaltung erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in der Leistungsumwandlung verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Leistungsmodule in rauen Umgebungen

Welche thermischen Grenzwerte regeln den langfristigen Betrieb?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Hochtemperatursystemen, bei denen erhöhte Sperrschichttemperaturen zu erwarten sind.

Welches Gehäuse und welche Art der Montage sind erforderlich?

Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf geeigneten Kupferflächen-Landmustern zur Wärmeableitung vorgesehen ist.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?

Mit einer typischen Gesamt-Gate-Ladung von 26 nC sollten Entwickler Treiber auswählen, die innerhalb des Ziel-Schaltzeitrahmens die erforderliche Ladung liefern, um Übergangsverluste zu begrenzen.

Welche Spannungsbeschränkungen gelten für Gate und Drain?

Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, während die Drain-Source-Nennspannung 150 V beträgt, wodurch sichere Betriebsgrenzen für Gate-Ansteuerung und Lasttransienten definiert werden.