Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 140 A, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.15.49

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 720 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF.3.098CHF.15.51
25 - 45CHF.2.604CHF.13.03
50 - 120CHF.2.447CHF.12.25
125 - 245CHF.2.258CHF.11.31
250 +CHF.2.111CHF.10.56

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6729
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-666
Herst. Teile-Nr.:
IRF3808PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

140A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über zusätzliche Merkmale wie eine Betriebstemperatur von 175 °C, niedrige RθJC, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

Verwandte Links