Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 230 W, 3-Pin IRFB3307ZPBF TO-220

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RS Best.-Nr.:
165-7607
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3307ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.02mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.82 mm

Länge

10.66mm

Automobilstandard

Nein

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