Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-9003
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB3306PBF
- Marke:
- Infineon
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- 124-9003
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB3306PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.66mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.66mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.02mm | ||
Breite 4.82 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon
Motorsteuerungs-MOSFET
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.
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Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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