Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220

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304-35-443
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3306PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

85nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.82 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.66mm

Höhe

9.02mm

Automobilstandard

Nein

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