Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.135.45

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.2.709CHF.135.24
100 - 200CHF.2.436CHF.121.70
250 +CHF.2.30CHF.114.92

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
249-6869
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF6215
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Erweiterte Planer-Technologie

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Dynamische dv/dt-Nennleistung

175 °C Betriebstemperatur

Schnelles Schalten

Verwandte Links