Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 230 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-9602
Herst. Teile-Nr.:: IRL1404ZPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 230 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.97.15

Nur noch Restbestände

Letzte 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	CHF.1.943	CHF.96.97
100 - 200	CHF.1.533	CHF.76.60
250 - 450	CHF.1.439	CHF.71.77
500 - 950	CHF.1.334	CHF.66.89
1000 +	CHF.1.239	CHF.62.06

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 145-9602
Herst. Teile-Nr.:: IRL1404ZPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	200A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	16 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	230W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	75nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	8.77mm
	Länge	10.66mm
	Breite	4.4 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 16 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 230W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 8.77mm
	Länge 10.66mm
	Breite 4.4 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 230W maximale Verlustleistung - IRL1404ZPBF

Dieser MOSFET wurde für eine hocheffiziente Leistung in verschiedenen Anwendungen entwickelt, insbesondere in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik. Sie gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen, was für fortschrittliche elektronische Systeme entscheidend ist. Sein robustes Design macht ihn zu einer bevorzugten Option für Ingenieure, die Lösungen für das Energiemanagement optimieren wollen.

Eigenschaften und Vorteile

• Geeignet für kontinuierliche Ableitströme bis zu 200 A

• Niedriger Drain-Source-On-Widerstand erhöht die Effizienz

• Geeignet für hohe Schaltgeschwindigkeiten zur Reduzierung von Energieverlusten

• Arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C

• Bietet eine maximale Gate-Schwellenspannung von 2,7 V für Kompatibilität

• Entwickelt in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für einfache Montage

Anwendungsbereich

• Verwendung in Leistungsverstärkern und Wandlern

• Eingesetzt in DC-DC-Schaltnetzteilen

• Integriert in die Motorsteuerungsschaltung

• Ideal für die Automobilindustrie und erneuerbare Energien

Wie hoch ist die maximale Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?

Er kann eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V verwalten.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?

Eine Gate-Schwellenspannung von 2,7 V gewährleistet eine effiziente Aktivierung des Bauelements und ermöglicht eine präzise Steuerung.

Kann dieses Bauteil in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?

Ja, er ist für den Betrieb bei bis zu +175 °C ausgelegt und damit für intensive Anwendungen geeignet.

Welche Bedeutung hat ein niedriger Drain-Source-Widerstand?

Der niedrige Widerstand minimiert die Leistungsverluste und verbessert so die Gesamteffizienz des Systems, insbesondere bei hohen Stromlasten.

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET

Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.