Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 180 A IRFB3207PBF TO-220

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257-9343
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3207PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Distrelec Product Id

304-40-524

Automobilstandard

Nein

Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 75-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

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