Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 170 A IRF2907ZPBF TO-220

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257-9284
Herst. Teile-Nr.:
IRF2907ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.3mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 75-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

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