Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4445
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2907ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.1'292.80
Auf Lager
- Zusätzlich 2'400 Einheit(en) mit Versand ab 17. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.1.616 | CHF.1'289.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4445
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2907ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 270nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 270nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er verfügt über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung.
Es ist bleifrei
Er kann wellengelötet werden
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 300 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 170 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 75 V / 80 A 140 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 75 V / 120 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 230 A 370 W TO-263