Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

CHF.1’243.20

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1’600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +CHF.1.554CHF.1’245.72

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
217-2628
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3207TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

260nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Höhe

9.65mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 75-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.

Verbesserte TorAvalanche und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit

Bleifrei

Verwandte Links