Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W IRFS3207TRLPBF TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IRFS3207TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

260nC

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Höhe

9.65mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 75-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.

Verbesserte TorAvalanche und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit

Bleifrei

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