Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 87 A TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt sichern

100 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 46.50 zu sparen

Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF 101.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 10. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
Ihre Ersparnis
50 - 50CHF 2.02CHF 101.20-
100 - 200CHF 1.555CHF 77.92CHF 46.50
250 - 450CHF 1.454CHF 72.87CHF 141.50
500 - 1200CHF 1.353CHF 67.82CHF 333.50
1250 +CHF 1.252CHF 62.72CHF 960.00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9368
Herst. Teile-Nr.:
IRFB7740PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

87A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 75-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.