Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 192 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9265
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100B201
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.172 | CHF.58.73 |
| 100 - 200 | CHF.0.97 | CHF.48.73 |
| 250 - 450 | CHF.0.919 | CHF.45.80 |
| 500 - 950 | CHF.0.859 | CHF.42.98 |
| 1000 + | CHF.0.838 | CHF.41.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9265
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100B201
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Durchgangsbohrungs-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar
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