Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 192 A IRF100B201 TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.5.754

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.2.877CHF.5.77
20 - 48CHF.2.268CHF.4.55
50 - 98CHF.2.142CHF.4.27
100 - 198CHF.1.985CHF.3.97
200 +CHF.1.848CHF.3.69

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-9266
Herst. Teile-Nr.:
IRF100B201
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.3mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-40-512

Die IRF-Serie von Infineon ist die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Durchgangsbohrungs-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

Verwandte Links