MOSFET

MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.


...
Weiterlesen Weniger anzeigen

Filter

Anzeige 21 - 40 von 11225 Produkten
Produkte pro Seite
Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 751-5332
Herst. Teile-Nr.ZXMHC10A07N8TC
CHF.1.159
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N, P 1 A, 850 mA 100 V 1,45 Ω, 900 mΩ SOIC 4V SMD - 8 -20 V, +20 V Enhancement 1,36 W Vollbrücke 4
RS Best.-Nr. 759-9550
Herst. Teile-Nr.FDMC86102L
CHF.1.45
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 30 A 100 V 39 mΩ Leistung 33 - SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 41 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 168-7942
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NTRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.316
Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Stück
P 11 A 55 V 175 mΩ DPAK (TO-252) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 38 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 921-1278
Herst. Teile-Nr.DMN3053L-7
CHF.0.269
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
N 4 A 30 V 55 mΩ SOT-23 1.4V SMD 0.6V 3 -12 V, +12 V Enhancement 1,2 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 906-4381
Herst. Teile-Nr.BSC010N04LSATMA1
MarkeInfineon
CHF.2.24
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 100 A 40 V 1,3 mΩ TDSON - SMD - 8 -20 V, +20 V Enhancement 139 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 541-1180
Herst. Teile-Nr.IRF520NPBF
MarkeInfineon
CHF.0.983
Stück
Stück
N 9,7 A 100 V 200 mΩ TO-220AB 4V Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 48 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 541-1196
Herst. Teile-Nr.IRL520NPBF
MarkeInfineon
CHF.0.924
Stück
Stück
N 10 A 100 V 180 mΩ TO-220AB 2V Durchsteckmontage 1V 3 –16 V, +16 V Enhancement 48 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 165-6971
Herst. Teile-Nr.SI1026X-T1-GE3
MarkeVishay
CHF.0.164
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 300 mA 60 V 2,5 Ω SOT-523 (SC-89) - SMD 1V 6 -20 V, +20 V Enhancement 250 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 787-9046
Herst. Teile-Nr.SI1026X-T1-GE3
MarkeVishay
CHF.0.316
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 300 mA 60 V 2,5 Ω SOT-523 (SC-89) - SMD 1V 6 -20 V, +20 V Enhancement 250 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 545-2529
Herst. Teile-Nr.BSS138LT1G
CHF.0.187
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 200 mA 50 V 3,5 Ω SOT-23 1.5V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 225 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 919-4876
Herst. Teile-Nr.IRF520NPBF
MarkeInfineon
CHF.0.726
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 9,7 A 100 V 200 mΩ TO-220AB 4V Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 48 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 911-4852
Herst. Teile-Nr.BSC120N03LSGATMA1
MarkeInfineon
CHF.0.211
Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Stück
N 39 A 30 V 16,5 mΩ TDSON 2.2V SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 2,5 W - 1
RS Best.-Nr. 541-0109
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NPBF
MarkeInfineon
CHF.1.147
Stück
Stück
P 11 A 55 V 175 mΩ DPAK (TO-252) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 38 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 752-8173
Herst. Teile-Nr.BSC120N03LSGATMA1
MarkeInfineon
CHF.0.761
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 39 A 30 V 16,5 mΩ TDSON 2.2V SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 2,5 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 541-0020
Herst. Teile-Nr.IRF740PBF
MarkeVishay
CHF.1.849
Stück
Stück
N 10 A 400 V 550 mΩ TO-220AB - Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 125 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-0812
Herst. Teile-Nr.IRF740PBF
MarkeVishay
CHF.1.22
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 10 A 400 V 550 mΩ TO-220AB - Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 125 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 103-2965
Herst. Teile-Nr.BSS138LT1G
CHF.0.047
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 200 mA 50 V 3,5 Ω SOT-23 1.5V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 225 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 165-8336
Herst. Teile-Nr.DMN3053L-7
CHF.0.105
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 4 A 30 V 55 mΩ SOT-23 1.4V SMD 0.6V 3 -12 V, +12 V Enhancement 1,2 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 687-5162
Herst. Teile-Nr.STB40NF10LT4
CHF.1.229
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 40 A 100 V 33 mΩ D2PAK 2.5V SMD 1V 3 -15 V, +15 V Enhancement 150 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 827-4088
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NTRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.772
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
P 11 A 55 V 175 mΩ DPAK (TO-252) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 38 W Einfach 1