Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-2805
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7351TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 273-2805
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7351TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der MOSFET von Infineon ist ein 60-V-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET wird für Motorantriebssysteme mit geringer Leistung und für isolierte DC/DC-Wandler verwendet.
Extrem niedrige Gate-Impedanz
Maximale Gate-Nennspannung von 20 V VGS
Vollständig charakterisierte Lawinendurchbruchs-Spannung und -Stromstärke
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