Infineon Zweifach-N-Kanal-Mosfet HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5.1 A 2.4 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 217-2603
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7341GTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2603
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7341GTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.4W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Zweifach-N-Kanal-Mosfet | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.4W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Zweifach-N-Kanal-Mosfet | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET in einem Dual SO-8-Gehäuse nutzen die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung. Diese Vorteile machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl anderer Anwendungen. Die Nennleistung von 175 °C für das SO-8-Gehäuse bietet eine verbesserte thermische Leistung mit einem erhöhten sicheren Betriebsbereich und die zweifache MOSFET-Matrizenfähigkeit machen es ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen. Dieser zweifache, SMD-SO-8 kann den Platinenplatz erheblich reduzieren und ist auch als Band und Rolle erhältlich.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Zweifacher N-Kanal-MOSFET
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Betriebstemperatur von 175 °C
Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt
Bleifrei
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