Infineon Zweifach-N-Kanal-Mosfet HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5.1 A 2.4 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 217-2603
Herst. Teile-Nr.:: IRF7341GTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Zweifach-N-Kanal-Mosfet HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5.1 A 2.4 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:: 217-2603
Herst. Teile-Nr.:: IRF7341GTRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	65mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	29nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	2.4W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Transistor-Konfiguration	Zweifach-N-Kanal-Mosfet
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	5mm
	Breite	4 mm
	Höhe	1.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 2.4W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Transistor-Konfiguration Zweifach-N-Kanal-Mosfet
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 5mm
	Breite 4 mm
	Höhe 1.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF7341GTRPBF

Die Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET in einem Dual SO-8-Gehäuse nutzen die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung. Diese Vorteile machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl anderer Anwendungen. Die Nennleistung von 175 °C für das SO-8-Gehäuse bietet eine verbesserte thermische Leistung mit einem erhöhten sicheren Betriebsbereich und die zweifache MOSFET-Matrizenfähigkeit machen es ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen. Dieser zweifache, SMD-SO-8 kann den Platinenplatz erheblich reduzieren und ist auch als Band und Rolle erhältlich.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Zweifacher N-Kanal-MOSFET

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur von 175 °C

Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt

Bleifrei

Infineon Zweifach-N-Kanal-Mosfet HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5.1 A 2.4 W, 8-Pin SO-8

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