Vishay Zweifach-N-Kanal-Mosfet TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 13.1 A, 8-Pin PowerPAK

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228-2827
Herst. Teile-Nr.:
Si7252ADP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

100V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Zweifach-N-Kanal-Mosfet

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für DC/DC-Primär-Seitenschalter, Telekommunikation/Server, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.

PWM-optimiert

100 % Rg- und UIS-geprüft

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