Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 437 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 735-199
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH602E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.6.038
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.6.04 |
| 10 - 49 | CHF.3.74 |
| 50 - 99 | CHF.2.90 |
| 100 + | CHF.1.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-199
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH602E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 437A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00115Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 8mm | |
| Breite | 7.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 437A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00115Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 8mm | ||
Breite 7.9 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Verwandte Links
- Vishay SIJH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 174 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 37 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SIJH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 277 A 333 W, 4-Pin 8x8L
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 155 A 230 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -80 V / -175 A 348 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -60 V / -222 A 348 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 701 A 600 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 12 V / 85 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212