Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 12 V / 85 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 735-237
- Herst. Teile-Nr.:
- SISF12EDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 85A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.3 mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
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