Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 29 W, 8-Pin SiSH892BDN-T1-GE3 PowerPAK 1212

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228-2931
Herst. Teile-Nr.:
SiSH892BDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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