Vishay Doppelt SiSF06DN N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 101 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 204-7259
- Herst. Teile-Nr.:
- SISF06DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- SISF06DN-T1-GE3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 101A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SiSF06DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0045Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69.4W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.73mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 101A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SiSF06DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0045Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69.4W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.73mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay Dual N-Kanal 30 V (S1-S2) MOSFET mit Common-Drain-Zweifach-N-Kanal ist ein integriertes N-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
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