Vishay Doppelt SiSF06DN N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 101 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 204-7260
- Herst. Teile-Nr.:
- SISF06DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.26.26
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF 1.313 | CHF 26.32 |
| 100 - 180 | CHF 1.121 | CHF 22.36 |
| 200 - 480 | CHF 0.919 | CHF 18.42 |
| 500 - 980 | CHF 0.838 | CHF 16.73 |
| 1000 + | CHF 0.818 | CHF 16.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7260
- Herst. Teile-Nr.:
- SISF06DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 101A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SiSF06DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0045Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69.4W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 0.73mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 101A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SiSF06DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0045Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69.4W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 0.73mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay Dual N-Kanal 30 V (S1-S2) MOSFET mit Common-Drain-Zweifach-N-Kanal ist ein integriertes N-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Verwandte Links
- Vishay Doppelt SiSF06DN Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 101 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 85 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 69.4 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 4 A 23.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 33.8 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay SiS128LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 33.7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS30LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55.5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS60DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 181.8 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212