Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -20 V / -104 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
- RS Best.-Nr.:
- 735-266
- Herst. Teile-Nr.:
- SISH521EDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -104A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SH | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.006Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 0.98mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -104A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SH | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.006Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 0.98mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
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