Vishay TrenchFET Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 67.4 A 26.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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RS Best.-Nr.:
228-2929
Herst. Teile-Nr.:
SiSH536DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8SH

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

26.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.6nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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