Vishay TrenchFET Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 67.4 A 26.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
- RS Best.-Nr.:
- 228-2929
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2929
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 67.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SH | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.25mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 26.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SH | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.25mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 26.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
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