Vishay TrenchFET Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 67.4 A 26.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
228-2928
Herst. Teile-Nr.:
SiSH536DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8SH

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

26.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links