Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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RS Best.-Nr.:
228-2928
Herst. Teile-Nr.:
SiSH536DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

67,4 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8SH

Serie

TrenchFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

0,00325 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Vishay N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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