Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 155 A 230 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 735-271
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ118E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.161
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.16 |
| 10 - 24 | CHF.2.06 |
| 25 - 99 | CHF.1.08 |
| 100 - 499 | CHF.1.05 |
| 500 + | CHF.1.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-271
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ118E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 155A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0098Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 122nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 7.9 mm | |
| Höhe | 1.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 155A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0098Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 122nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 7.9 mm | ||
Höhe 1.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -80 V / -175 A 348 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -60 V / -222 A 348 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 701 A 600 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 105 A 107 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 445 A 255 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 245 A 214 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -40 V / -230 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 437 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)